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QS8M31TR

發布時間:2022/12/2 10:30:00 訪問次數:46

制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSMT-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 3 A, 2 A
Rds On-漏源導通電阻: 112 mOhms, 210 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 4 nC, 7.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降時間: 7 ns, 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns, 12 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 26 ns, 45 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
零件號別名: QS8M31
單位重量: 10 mg

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