制造商: onsemi
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-3PN
安裝風格: Through Hole
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 2.5 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 349 W
系列: FGA40N65SMD
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
單位重量: 6.401 g
FGA40N65SMD
發布時間:2022/12/2 16:23:00 訪問次數:50
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