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NTMFS4C302NT1G

發布時間:2022/12/2 16:31:00 訪問次數:46

NTMFS4C302NT1G

制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8FL-4
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 230 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.15 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 82 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
配置: Single
下降時間: 11 ns
正向跨導 - 最小值: 135 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
工廠包裝數量: 1500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 42 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 750 mg

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