技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
50 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11 毫歐 @ 45A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2106 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號
SQD50
