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GD32F130C8T6兆易創新半導體ARM微控制器

發布時間:2022/12/8 14:14:00 訪問次數:403 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




一般說明:GD32F130C8T6
GD32F130C8T6器件屬于 GD32 MCU 系列的價值線。它是一款基于高性能 ARM® Cortex®-M3 RISC 內核的 32 位通用微控制器,具有
在處理能力、降低的功耗和外圍設備方面的最佳比率。這Cortex®-M3 是下一代處理器內核,它與嵌套向量中斷控制器 (NVIC)、SysTick 計時器和高級調試支持。
GD32F130C8T6器件集成了 ARM® Cortex®-M3 32 位處理器內核在 48 MHz 頻率下,閃存訪問零等待狀態以獲得最大效率。它提供高達 64 KB 的片上閃存和高達 8 KB 的 SRAM 存儲器。一個廣泛的連接到兩條 APB 總線的一系列增強型 I/O 和外圍設備。這些設備提供了一個12位ADC,最多五個通用16位定時器,一個通用32位定時器,一個PWM高級定時器,以及標準和高級通信接口:多達兩個 SPI、兩個 I2C 和兩個 USART。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電,溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優化,一個特別重要的低功率應用中的考慮。上述特點使GD32F130C8T6器件適用于廣泛的應用,特別是在工業控制、電機驅動、用戶界面、功率監視器和警報系統、消費類和手持設備、游戲和 GPS、電動自行車等。


功能說明:GD32F130C8T6
3.1. ARM® Cortex®-M3 內核
Cortex®-M3 處理器是用于嵌入式的最新一代 ARM® 處理器
系統。它的開發目的是提供一個滿足 MCU 需求的低成本平臺
實施,具有減少的引腳數和低功耗,同時提供
出色的計算性能和對中斷的高級系統響應。
 32 位 ARM® Cortex®-M3 處理器內核
 高達 48 MHz 的工作頻率
 單周期乘法和硬件除法器
 集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
 24 位 SysTick 定時器
Cortex®-M3 處理器基于 ARMv7 架構,支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統外圍設備也由
Cortex®-M3:
 內部總線矩陣連接 ICode 總線、DCode 總線、系統總線、Private
外設總線 (PPB) 和調試訪問 (AHB-AP)
 嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
 閃存補丁和斷點 (FPB)
 數據觀察點和跟蹤(DWT)
 儀器跟蹤宏單元 (ITM)
 串行線 JTAG 調試端口 (SWJ-DP)
 跟蹤端口接口單元 (TPIU)
3.2.片上存儲器
 高達 64 KB 的閃存
 高達 8 KB 的 SRAM,帶硬件奇偶校驗
ARM® Cortex®-M3 處理器采用哈佛架構,可使用
單獨的總線來獲取指令和加載/存儲數據。 64 KB 內部閃存和 8
最多 KB 的內部 SRAM 可用于存儲程序和數據,都可以訪問(R/W)
在 CPU 時鐘速度下,零等待狀態。表2-2。GD32F130C8T6內存映射
顯示了GD32F130C8T6系列器件的內存映射,包括代碼、SRAM、
外圍和其他預定義區域。
3.3.時鐘、復位和電源管理
 內部 8 MHz 工廠微調 RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
 內部 40 KHz RC 校準振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
 集成系統時鐘鎖相環
 2.6 至 3.6 V 應用電源和 I/O
 電源監控器:POR(上電復位)、PDR(掉電復位)和低電壓
檢測器 (LVD)
時鐘控制單元 (CCU) 提供了一系列振蕩器和時鐘功能。這些
包括高速內部RC振蕩器和外部晶體振蕩器,高速和低速
兩種類型。幾個預分頻器允許 AHB 和兩個 APB 的頻率配置
域。 AHB 和兩個 APB 域的最大頻率為 48 MHz。見圖
2-8。GD32F130C8T6時鐘樹了解時鐘樹的詳細信息。
GD32F130C8T6復位控制包括對三種復位的控制:電源復位、系統復位
重置和備份域重置。系統重置會重置處理器內核和外設 IP
除 SW-DP 控制器和備份域之外的其他組件。打開
復位 (POR) 和掉電復位 (PDR) 始終處于活動狀態,并確保正常運行
從 2.6V 開始,降至 1.8V。當 VDD 低于
指定的閾值。嵌入式低壓檢測器 (LVD) 監控電源,
將其與電壓閾值進行比較并生成中斷作為警告消息
帶領 MCU 進入安全領域。
供電方案:GD32F130C8T6
 VDD 范圍:2.6 到 3.6 V,I/O 和內部穩壓器的外部電源。
通過 VDD 引腳從外部提供。
 VSSA、VDDA 范圍:2.6 至 3.6 V,ADC 的外部模擬電源、復位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須連接到 VDD 和 VSS,分別主動。
 VBAT 范圍:1.8 至 3.6 V,RTC 電源,外部時鐘 32 KHz 振蕩器和
當 VDD 不存在時備份寄存器(通過電源開關)。
3.4. 啟動模式
啟動時,引導引腳用于選擇三個引導選項之一:
 從主閃存啟動(默認)
 從系統內存啟動
 從片上 SRAM 啟動
默認情況下,選擇從主閃存引導。 引導加載程序位于
內部引導 ROM 存儲器(系統存儲器)。 它用于重新編程閃存
通過使用 USART0(PA9 和 PA10)或 USART1(PA2 和 PA3、PA14 和 PA15)。


詳細參數:GD32F130C8T6
參數名稱 參數值
生命周期聯系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
訂貨包裝代碼 LQFP48
包裝說明 LQFP-48
達到合規代碼未知
風險等級 5.31
最大速度 (MHz) 48
內存(字節) 閃存 64K
內存(字節) SRAM 8K
I/O 高達 39
定時器 GPTM(32 位)1
定時器 GPTM (16 位) 5
定時器高級 TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit)
定時器 SysTick (24 位) 1
定時器 WDG 2
定時器 RTC 1
連通性 USART 2
連接 I2C 2
連接 SPI 2
連接 USB 2 FS
連接 I2S
連通性比較
連接運算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 1(10)
模擬接口 12 位 DAC 單元
封裝 LQFP48

以下物料均有現貨庫存:GD32F130C8T6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
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