類別 分立半導體產品 單 FET，MOSFET

制造商 Texas Instruments

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 60A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 9.9 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 14.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1150 pF @ 30 V

FET 功能 標準

功率耗散（最大值） 66W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 8-VSONP（3x3.15）

封裝/外殼 8-PowerVDFN
深圳市騰浩偉業電子有限公司


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