FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
1.4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
160 毫歐 @ 1.4A，2.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 3.7μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT323
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
基本產品編號
BSS816
