FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.2 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
210 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-MicroFET（2x2）
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
基本產品編號
FDMA86265
