型號：FGA40T65SHD

類別 分立半導體產品 單 IGBT

制造商 onsemi

IGBT 類型 溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值） 80 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm) 120 A

不同Vge、Ic 時Vce(on)（最大值） 2.1V @ 15V，40A

功率 - 最大值 268 W

開關能量 1.01mJ（開），297μJ（關）

輸入類型 標準

柵極電荷 72.2 nC

25°C 時 Td（開/關）值 19.2ns/65.6ns

測試條件 400V，40A，6 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr) 31.8 ns

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3

供應商器件封裝 TO-3PN
深圳市騰浩偉業電子有限公司
TEL：13420935820

型號：FGA40T65SHD