類型 描述 選擇
類別
分立半導體產品
單 FET,MOSFET
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
40 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
19A(Ta),100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
4.3 毫歐 @ 22A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值)
32 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
2640 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),120W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-VSONP(5x6)
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
CSD18503
BAT54SFILMY
PIC16F688T-I/SL
PCF85063ATT/A
LIS2DHTR
STM32F103RCT6
STM32F105RBT6
STM32F446ZET6
STM32F103VET6
STM8S903K3T6CTR
R7F7010133AFP-C
R7F7010333AFP-C
CSD18503Q5A
TPS24750RUVR