FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
21A（Ta），85A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.1 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
196 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
9120 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
