類別 分立半導體產品 單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
13A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
295 毫歐 @ 6.6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
860 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
