DMTH43M8LPSQ-13

制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerDI5060-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 49 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
配置: Single
下降時間: 11 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5.7 ns
系列: DMTH43M8
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 23.5 ns
典型接通延遲時間: 5.2 ns
單位重量: 97 mg