設備概覽：IS42S16800F-7BLI

128Mb SDRAM 是高速 CMOS、動態設計為在 3.3V Vdd 下運行的隨機存取存儲器和 3.3V Vddq 存儲系統，包含 134,217,728位。內部配置為四組 DRAM，具有一個同步接口。每個 33,554,432 位 bank 是組織為 4,096 行 x 512 列 x 16 位或4,096 行 x 1,024 列 x 8 位。128Mb SDRAM 包括一個自動刷新模式，以及省電、掉電模式。所有信號都是記錄在時鐘信號 CLK 的正沿。所有輸入和輸出均兼容 LVTTL。128Mb SDRAM 具有同步突發的能力具有自動列地址的高數據速率數據代，在內部銀行之間交錯的能力隱藏預充電時間和隨機充電能力在每個時鐘周期更改列地址突發訪問。在突發結束時啟動自定時行預充電
AUTO PRECHARGE 功能啟用時，序列可用。訪問其中之一時預充一個銀行其他三個銀行將隱藏預充電周期和提供無縫、高速、隨機訪問操作。SDRAM 讀寫訪問是面向突發的啟動在選定的位置并繼續編程編程序列中的位置數。這注冊一個 ACTIVE 命令開始訪問，后跟 READ 或 WRITE 命令。活躍的命令與地址位一起注冊是用于選擇要訪問的庫和行（BA0，BA1 選擇銀行； A0-A11 選擇行）。閱讀或 WRITE 命令與地址位結合使用注冊用于選擇起始列位置用于突發訪問。可編程讀取或寫入突發長度包括1、2、4 和 8 個位置或整頁，帶有突發終止選項。


特征：IS42S16800F-7BLI
• 時鐘頻率：200、166、143 MHz
• 完全同步；所有信號都參考一個
正時鐘沿
• 用于隱藏行訪問/預充電的內部 bank
• 電源供應
電源電壓
IS42/45S81600F 3.3V 3.3V
IS42/45S16800F 3.3V 3.3V
• LVTTL 接口
• 可編程突發長度
– (1, 2, 4, 8, 整頁)
• 可編程突發序列：
順序/交錯
• 自動刷新 (CBR)
• 自我刷新
• 每 16 毫秒 4096 次刷新周期（A2 級）或
64 ms（商業、工業、A1 級）
• 每個時鐘周期的隨機列地址
• 可編程 CAS 延遲（2、3 個時鐘）
• 突發讀/寫和突發讀/單寫
運營能力
• 通過突發停止和預充電終止突發
命令
• 溫度范圍：
商業 (0o
C 至 +70o
C）
工業（-40o
C 至 +85o
C）
汽車，A1 (-40o
C 至 +85o
C）
汽車，A2（-40o
C 至 +105o

C）

制造商: ISSI
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: SDRAM
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: BGA-54
數據總線寬度: 16 bit
組織: 8 M x 16
存儲容量: 128 Mbit
最大時鐘頻率: 143 MHz
訪問時間: 5.4 ns
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 3 V
電源電流—最大值: 100 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列:IS42S16800F-7BLI
封裝: Tray
商標: ISSI
濕度敏感性: Yes
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 348
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 99.700 mg

以下物料均有現貨庫存：IS42S16800F-7BLI
STM32F101RBT6
STM32F103CBT6
STM32F103C8T6
STM32F103R8T6
STM32F103VBT6
STM32F103RBT6
STM32F103VCT6
STM32F103ZET6
STM32F103VET6
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STM32F103RCT6
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STM32F105VCT6
STM32F107VCT6
STM32F107RCT6
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STM32F100C6T6B
STM32F100VCT6B
STM32F100RBT6B
STM32F100C8T6B
STM32F100C4T6B
STM32F215RGT6
STM32F205RGT6
STM32F205RET6
STM32F205RCT6
STM32F205VGT6

IS42S16800F-7BLI
STM32F205VET6
STM32F205VCT6
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STM32F205ZGT6
STM32F207VCT6
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STM32L151C8T6A
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STM32L471RGT6
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STM32L475VET6
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STM32L011G4U6
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TPS54331DDAR
TPS54332DDAR
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TPS54560DDAR
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TPS5450DDAR
TPS5450QDDARQ1
TPS54610PWPR
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TPS54628DDAR
TPS54620RGYR
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TPS5401DGQR
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TPS5403DR
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