FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
23A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.4 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
6.8nC @ 5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
830pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
