類別
分立半導體產品
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
98A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
26.9 毫歐 @ 41A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.2V @ 17.6mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
83 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+20V，-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3460 nF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-4-8
封裝/外殼
TO-247-4