製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: UF-6
晶體管極性: P-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 330 mA
Rds On - 漏-源電阻: 1.31 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 1.2 nC
最低工作溫度: -
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 500 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: MOSIII
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Toshiba
配置: Dual
互導 - 最小值: 190 mS
產品類型: MOSFET
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 P-Channel
標準斷開延遲時間: 200 ns