製造商: IXYS
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 180 A
Rds On - 漏-源電阻: 6.4 mOhms
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 480 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: HiPerFET
系列: IXTA180N10
封裝: Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 31 ns
高度: 4.5 mm
長度: 9.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 54 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 42 ns
標準開啟延遲時間: 33 ns
寬度: 9.2 mm
每件重量: 1.600 g