2SB1151L-TO126T-Y-TG_UTC代理商導讀
UCS165XS 有非常低的啟動電流（<5uA）和較低的起始電壓，并且內含高壓啟動開關，與常規PWM IC 相比，可大限度地減少外部電路之啟動功耗損失，同時又能保障啟動速度最快，對VCC 腳位電容值的上限限制極低。
啟動電容建議選用電解電容（供電）和SMD 陶瓷電容（高頻濾波）并聯配套使用，啟動電容可選2.2~10uF 的電容，SMD 陶瓷選用100nF。
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MMBT2907AG-SOT23.3R-TG
半導體行業從誕生至今 ，先后經歷了三代材料的變更程 ，截至目前 ，功率半導體器件領域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導體材料 。
（1）主要選型參數：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續漏電流，RDS(on) 導通電阻，Ciss 輸入電容（結電容），品質因數FOM=Ron * Qg等。（2）根據不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領域100V內； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領域200V內； SJ MOS：超結MOS，主要在高壓領域 600-800V；。
一旦OVP 發生，功率管關閉，如果過電壓解除，系統將在下一次上電后恢復正常工作。VCC 過壓保護功能是自動恢復重啟的保護。
不同功率半導體器件 ，其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會不同 ，實際使用中 ， 需要根據不同領域 、不同需求來選用合適的器件。
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UTC代理商
UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。
LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。
MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
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并以最小頻率工作。待機：FB 調整芯片工作在Burst mode 里，并控制CS 值。
軟啟動Phase 結束后，若Vout 未達到輸出設定值Vo，則IC 以大占空比繼續上電直至上電完畢，VFB 降低進入正常環路調節電壓范圍1.35~4.2V；軟啟動Phase 期間，若Vout 達到輸出設定值Vo，則VFB 降低進入正常環路調節電壓范圍1.35~4.2V，環路PWM 由VFB 控制直至上電完畢，；。
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