製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 185 A
Rds On - 漏-源電阻: 1.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.1 V
Qg - 閘極充電: 108 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 188 W
通道模式: Enhancement
系列: XPP019N06
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 17 ns
互導 - 最小值: 110 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 31 ns
1000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 48 ns
標準開啟延遲時間: 22 ns
零件號別名: IPP019N06NF2S SP005742471