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SIA456DJ-T1-GE3

發布時間:2023/2/6 15:03:00 訪問次數:59

SIA456DJ-T1-GE3

類型 描述 選擇


類別 分立半導體產品 單 FET,MOSFET


制造商 Vishay Siliconix


系列 TrenchFET®


包裝 卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷帶


Product Status 在售


FET 類型 N 通道


技術 MOSFET(金屬氧化物)


漏源電壓(Vdss) 200 V


25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 2.6A(Tc)


驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V


不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 1.38 歐姆 @ 750mA,4.5V


不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA


不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值) 14.5 nC @ 10 V


Vgs(最大值) ±16V


不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 100 V


FET 功能 -


功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19W(Tc)


工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)


安裝類型 表面貼裝型


供應商器件封裝 PowerPAK® SC-70-6


封裝/外殼 PowerPAK® SC-70-6


基本產品編號 SIA456


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DS90UB949ATRGCRQ1
VNH5050ATR-E
DS90UB947TRGCRQ1
L9396
L9369-TR
DS90UB947TRGCRQ1
TPS92662QPHPRQ1
TPS7B6733QPWPRQ1
LP8867CQPWPRQ1
SPC5748GBK0AVKU6
S6J328CKSPSE20000
S6J334CJEESE20000
S912ZVC12F0VKHR
S912ZVC19F0MKHR
STM32F429ZGT6
TMS5701224CPGEQQ1

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