IRFH8311TRPBF，全新原裝現貨，終端價更優。

類別 分立半導體產品 單 FET，MOSFET

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

Product Status 在售

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 32A（Ta），169A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 2.1 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.35V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 66 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 4960 pF @ 10 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），96W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 PQFN（5x6）

封裝/外殼 8-TQFN 裸露焊盤

基本產品編號 IRFH8311