QPD1006

制造商: Qorvo
產品種類: 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管類型: HEMT
技術: GaN-on-SiC
工作頻率: 1.2 GHz to 1.4 GHz
增益: 17.8 dB
晶體管極性: N-Channel
Id-連續漏極電流: 14 A
輸出功率: 450 W
最大漏極/柵極電壓: 145 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
Pd-功率耗散: 445 W
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: NI-50CW
應用: Civilian and Military Radar
商標: Qorvo
配置: Single
開發套件: QPD1006EVB3
濕度敏感性: Yes
產品類型: RF JFET Transistors
系列: QPD1006
工廠包裝數量: 36
子類別: Transistors