制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
產品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase Inverter
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.55 V
在25 C的連續集電極電流: 75 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
Pd-功率耗散: -
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
柵極/發射極最大電壓: 20 V
安裝風格: PCB Mount
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
技術: Si
零件號別名: FP75R12N2T7P_B11 SP005595812