型號：SQJA82EP-T1-GE3 類別 分立半導體產品 單 FET，MOSFET

制造商 Vishay Siliconix

系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

包裝 卷帶（TR）

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 80 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 60A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 8.2 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 60 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 3000 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 68W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8

封裝/外殼 PowerPAK® SO-8