CSD87350Q5D

制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導通電阻: -
Vgs - 柵極-源極電壓: - 5 V, + 5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 750 mV
Qg-柵極電荷: 8.4 nC, 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 12 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD87350Q5D
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Dual
開發套件: TPS53819AEVM-123
下降時間: 2.3 ns, 4.7 ns
正向跨導 - 最小值: 97 S, 157 S
高度: 1.5 mm
長度: 6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns, 10 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
類型: Synchronous Buck MOSFET Driver
典型關閉延遲時間: 13 ns, 33 ns
典型接通延遲時間: 7 ns, 8 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 162 mg