UT3221G-SSOP16.2R-TG_UTC代理商導讀
每個包中包含6個反向施密特觸發器,它們都執行布爾函數Y=A,可在2V - 6V的寬范圍內操作,且具備廣泛的輸入升降時間范圍廣,抗噪能力強以及在溫度范圍內擁有高達10 LSTTL的扇出參數,低功耗也成為它的優勢。
超低啟動電流(<5uA),超低靜態電流(0.8mA)。具備欠壓保護(UVP)、過壓保護(OVP), VCC 嵌位、過載保護(OLP)過溫度保護(OTP)、過電流保護(OCP)。
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M54123LG-SOP8R-ATG
MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好;制造工藝簡單、輻射強,因而通常被用于放大電路或開關電路;。
(1)主要選型參數:漏源電壓VDS(耐壓),ID 連續漏電流,RDS(on) 導通電阻,Ciss 輸入電容(結電容),品質因數FOM=Ron * Qg等。(2)根據不同的工藝又分為 Trench MOS:溝槽型MOS,主要低壓領域100V內; SGT (Split Gate)MOS:分裂柵MOS,主要中低壓領域200V內; SJ MOS:超結MOS,主要在高壓領域 600-800V;。
集成度和可靠性等多方面優勢性能,類型豐富且各具優勢,是相關設備設施應用的優中之選,并可廣泛應用在工業、醫療、消費電子等領域上。
不同功率半導體器件 ,其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會不同 ,實際使用中 , 需要根據不同領域 、不同需求來選用合適的器件。
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UTC代理商
LR1142G-SC59.5R-AD-ATG TL431NSG-SC59.3R-ATG LR2125G-SC59.5R-AD-TG UT3N01ZG-SOT323R-TG LD1117AG-TO252R-18-ATG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
建議VCC 腳位旁邊并聯一個高頻濾波電容(例如100nF MLCC),增加IC 工作穩定性,避免高頻干擾。
UPC817BG-DIP4T-TG ULN2803G-SOP18R-TW2G TL431K-TO92B-1TSG UK2751G-SOT723R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-CTG 。
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重載和中載:FB 調整芯片工作在PWM mode 里,FB 值調整CS 值。
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