UR133L-SOT89R-30-CTG_UTC代理商導讀

U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三種方式進行封裝包裹。

啟動電容建議選用電解電容（供電）和SMD 陶瓷電容（高頻濾波）并聯配套使用，啟動電容可選2.2~10uF 的電容，SMD 陶瓷選用100nF。

UR133L-SOT89R-30-CTG_UTC代理商" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154947944794.jpg" />

UR133AG-SOT89R-AD-ATG

不同功率半導體器件 ，其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會不同 ，實際使用中 ， 需要根據不同領域 、不同需求來選用合適的器件。

U74AHC595G-TSSOP16R-TG UT3419G-SC59.3R-TG U74LVC1G04G-SOT353R-TG UZ2085G-TO252R-AD-TG U74AUP1G07G-SOT353R-TG 。

（1）主要選型參數：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續漏電流，RDS(on) 導通電阻，Ciss 輸入電容（結電容），品質因數FOM=Ron * Qg等。（2）根據不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領域100V內； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領域200V內； SJ MOS：超結MOS，主要在高壓領域 600-800V；。

半導體行業從誕生至今 ，先后經歷了三代材料的變更程 ，截至目前 ，功率半導體器件領域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導體材料 。

UR133L-SOT89R-30-CTG_UTC代理商" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />

UTC代理商

88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。

LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。

在開關電源中，如漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理（詳細請關注作者其他MOS詳解）。

MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。

UR133L-SOT89R-30-CTG_UTC代理商" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />

。輕載：FB 調整芯片工作在Green mode 里，并調整Tsw 和CS 值。

IC 內部所有功能塊開始工作，之后的時間里Drain 腳位僅受內部功率管控制。

相關資訊