深圳市騰浩偉業電子有限公司
型號:RU6888R
器件類別:分立半導體MOS(場效應管)
器件:漏源電壓(Vdss):68V 連續漏極電流(Id)(25°C 時):88A(Tc) 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導通電阻:8mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 類型:N溝道 N 溝道,68V,88A,6mΩ@10V
封裝:TO220
年份:21+
品牌:銳駿
備注:原裝正品現貨
發布時間:2023/2/13 16:32:00 訪問次數:67
深圳市騰浩偉業電子有限公司
型號:RU6888R
器件類別:分立半導體MOS(場效應管)
器件:漏源電壓(Vdss):68V 連續漏極電流(Id)(25°C 時):88A(Tc) 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導通電阻:8mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 類型:N溝道 N 溝道,68V,88A,6mΩ@10V
封裝:TO220
年份:21+
品牌:銳駿
備注:原裝正品現貨