是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期 Transferred
Objectid 1533428573
包裝說明 PLASTIC, MINIBLOC-4
針數 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 8.34
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 2500 mJ
外殼連接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 500 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 48 A
最大漏極電流 (ID) 48 A
最大漏源導通電阻 100 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PUFM-X4
元件數量 1
端子數量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 500 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 192 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 NICKEL
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔 全部數據手冊技術文檔 全部 全部 數據手冊 技術文檔 下載: IXFN48N50Q IXYS Corporation 相關器件 IXFN48N55IXFN48N50IXFN48N50QIXFN48N50U2
