類型 描述 選擇
類別
分立半導體產品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包裝
管件
Product Status
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
52A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
59 毫歐 @ 20A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
52 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
228W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-3-41
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
IMW120
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新建參數搜索
IRS25752LTRPBF
IPL60R065C7
IAUT300N08S5N012
IPL60R075CFD7
IPL60R065P7
IRF150P221
TLE8110ED
IFX91041EJV
IPC90N04S5-3R6
AUIRF7341QTR
IRMCF171TY
IRFS3006TRL7PP
BTS50085-1TMA
IMW120R045M1
BTS6143D
IRFP4468PBF
IKW30N65ES5
TLF35584QVVS2
AUIRG4PH50S
BTS5030-1EJA
BSC014N06NS
