類型 描述 選擇
類別
分立半導體產品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
Product Status
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
2.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
170 毫歐 @ 1.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
940 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
報告產品信息錯誤
新建參數搜索
ICE3B0365J
IPT015N10N5
IPB039N10N3 G
IPP075N15N3 G
IPB072N15N3 G
IPP110N20N3 G
IPD600N25N3 G
BSC440N10NS3 G
IPB200N15N3 G
IPB117N20NFD
IRF7450TRPBF
IRFR3411TRPBF
IPD33CN10N G
IPD530N15N3 G
IPB107N20NA
IRFR5410TRPBF
IRF200P222
IPB107N20N3 G
IRFB4310PBF
IRF540NSTRLPBF
IPB065N15N3 G
IPP045N10N3 G
IPT044N15N5
