78L08G-SOP8R-TG_UTC代理商導讀
U74HC165是一個8位并行負載移位寄存器，具備互補串行輸出的功能，且可直接覆蓋負載數據輸入和門控時鐘輸入，并可實現并行到串行的數據轉換。
啟動電容建議選用電解電容（供電）和SMD 陶瓷電容（高頻濾波）并聯配套使用，啟動電容可選2.2~10uF 的電容，SMD 陶瓷選用100nF。
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LADLD37G-HSOP8R-TG
（2）根據不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領域100V內； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領域200V內； SJ MOS：超結MOS，主要在高壓領域 600-800V；。（1）主要選型參數：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續漏電流，RDS(on) 導通電阻，Ciss 輸入電容（結電容），品質因數FOM=Ron * Qg等。
不同功率半導體器件 ，其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會不同 ，實際使用中 ， 需要根據不同領域 、不同需求來選用合適的器件。
待機時輔助線圈對VCC 電容充電電流較小，IC 靜態功耗沒有太大變化，因此導致待機進入burst mode 后，VCC 電容電壓會在OFF time 中容易觸碰VCCMIN，發生VCC自動重啟誤動作。
82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。
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UTC代理商
建議VCC 腳位旁邊并聯一個高頻濾波電容（例如100nF MLCC），增加IC 工作穩定性，避免高頻干擾。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
SB360G-DO201ADB-TG U74HC00G-SOP14R-TG U74LVC2G04G-SOT363R-TG 8133G-SC59.3R-2TSG 2SA1015L-TO92B-BL-TG 。
U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
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IIoT背后的理念是通過數字化整個工業運營鏈來提高生產率，并基于數字數據建立洞察力。新的技術能力也有助于制造商從對工廠自動化設備的投入中獲得更多的價值。
電路初級側主回路由C1 正端變壓器MOSFET R14、R15 C1 地端，此為電路中大開關干擾源，此回路元器件盡量靠近以縮短路徑線長及回路面積，并遠離小信號回路以及UCS165XS 本體，且接地1 之間的連接線路需要保持最短并且寬原則。
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