型號：DMN6075S-7

類別 分立半導體產品 晶體管 FET，MOSFET 單 FET，MOSFET

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包裝 卷帶（TR）

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 2A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 85 毫歐 @ 3.2A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 12.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 606 pF @ 20 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 800mW（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 SOT-23-3

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3