存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR3L
存儲容量
4Gb
存儲器組織
512M x 8
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
800 MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
20 ns
電壓 - 供電
1.283V ~ 1.45V
工作溫度
-40°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
78-TFBGA
供應商器件封裝
78-TWBGA（9x10.5）
基本產品編號
IS43TR85120
