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SI2369DS-T1-BE3

發布時間:2023/2/21 9:59:00 訪問次數:46 發布企業:深圳市科雨電子有限公司



產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 7.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 29 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 11.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 13 ns

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