參數名稱
參數值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2014246630
零件包裝代碼
TO-252AA
包裝說明
LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3
針數
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.29.00.95
風險等級
7.32
其他特性
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas）
194 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
13 A
最大漏極電流 (ID)
13 A
最大漏源導通電阻
0.205 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252AA
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
66 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
52 A
認證狀態
Not Qualified
子類別
Other Transistors
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
