INA823DR的說明

INA823DR是一款集成儀表放大器，可提供低功耗并且可在較寬的單電源或雙電源電壓范圍內工作。可通過單個外部電阻器在 1 到 10,000 范圍內設置任意增益。該器件可提供低輸入失調電壓、低失調電壓漂移、低輸入偏置電流和低電流噪聲，同時具有成本效益。附加電路可以為輸入提供高達 ±60V 的過壓保護。


INA823DR經過優化，可提供較高的共模抑制比。當 G = 1 時，整個輸入共模范圍內共模抑制比超過 84dB。INA823DR可實現寬共模電壓范圍，電壓低至負電源以下 150mV。根據設計，此器件采用低電壓運行，由 2.7V 單電源和高達 ±18V 的雙電源供電。可提供低功耗并且可在單電源下工作，因而可支持手持電池供電系統。


INA823DR的特性
輸入過壓保護高達 ±60V
輸入電壓擴展到負電源以下 150mV
低電源電流：180μA（典型值）
精密性能：INA823DR
低失調電壓：20μV（典型值），100μV（最大值）
低輸入偏置電流：8nA（最大值）
共模抑制：
84dB，G = 1（最小值）
104dB，G = 10（最小值）
120dB，G ≥ 100（最小值）
電源抑制：100dB，G = 1（最小值）
輸入電壓噪聲：21nV/√Hz
帶寬：1.9MHz (G = 1)、60kHz (G = 100)
采用 1nF 容性負載時保持穩定
電源電壓范圍：
單電源：2.7V 至 36V
雙電源：±1.35V 至 ±18 V
額定溫度范圍：–40°C 至 +125°C
封裝：8 引腳 SOIC 和 8 引腳 VSSOP

制造商: Texas Instruments

產品種類: 儀表放大器
RoHS: 詳細信息
系列:INA823DR
通道數量: 1 Channel
3dB帶寬: 1.9 MHz
SR - 轉換速率 : 900 mV/us
CMRR - 共模抑制比: 120 dB
Ib - 輸入偏流: 1.2 nA
Vos - 輸入偏置電壓 : 20 uV
電源電壓-最大: 36 V
電源電壓-最小: 2.7 V
工作電源電流: 180 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
放大器類型: Monolithic Precision
商標: Texas Instruments
en - 輸入電壓噪聲密度: 21 nV/sqrt Hz
增益誤差: 0.05 %
增益V/V: 10 kV/V
GBP-增益帶寬產品: 1.9 MHz
In—輸入噪聲電流密度: 160 fA/sqrt Hz
Ios - 輸入偏置電流 : 0.4 nA
濕度敏感性: Yes
每個通道的輸出電流: 20 mA
產品: Instrumentation Amplifiers
產品類型: Instrumentation Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 148 dB
關閉: No Shutdown
工廠包裝數量: 3000
子類別: Amplifier ICs