型號：NTGS5120PT1G

參數名稱 參數值
Source Content uid NTGS5120PT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 1856317409
零件包裝代碼 TSOP
包裝說明 TSOP-6
針數 6
制造商包裝代碼 318G-02
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 72 weeks
風險等級 2.16
Samacsys Description P-channel MOSFET Transistor, 2.9 A, -60 V, 6-pin TSOP
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2020-12-29 06:27:17
YTEOL 6.95
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 2.5 A
最大漏極電流 (ID) 1.8 A
最大漏源導通電阻 0.111 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G6
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.1 W
認證狀態 Not Qualified
子類別 Other Transistors
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON