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IPD50N04S4L-08

發布時間:2023/2/28 16:22:00 訪問次數:50 發布企業:深圳市昌和盛利電子有限公司

型號:IPD50N04S4L-08

品牌:英飛凌
封裝:SOT252
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS:是
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續漏極電流:50 A
Rds On-漏源導通電阻:6.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V, - 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Qg-柵極電荷:30 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:46 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
高度:2.3 mm
長度:6.5 mm
系列:OptiMOS-T2
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
下降時間:18 ns
上升時間:8 ns
典型關閉延遲時間:11 ns
典型接通延遲時間:4 ns
單位重量:4 g





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