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BSS83PH6327

發布時間:2023/2/28 17:16:00 訪問次數:62

BSS83PH6327

類型 描述 選擇


類別 分立半導體產品 晶體管 FET,MOSFET 單 FET,MOSFET


制造商 Infineon Technologies


系列 SIPMOS®


包裝 卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷帶


產品狀態 在售


FET 類型 P 通道


技術 MOSFET(金屬氧化物)


漏源電壓(Vdss) 60 V


25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 330mA(Ta)


驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V


不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 2 歐姆 @ 330mA,10V


不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 80μA


不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值) 3.57 nC @ 10 V


Vgs(最大值) ±20V


不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 78 pF @ 25 V


FET 功能 -


功率耗散(最大值) 360mW(Ta)


工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)


安裝類型 表面貼裝型


供應商器件封裝 PG-SOT23


封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


基本產品編號 BSS83PH6327

FS32K146HAT0VLLT
VN808CMTR-E
DCP020515DU
SAK-TC277TP-64F200S DC
TPS92662AQPHPRQ1
VNQ7050AJTR
TM4C1294NCPDTI3
SPC5606BK0MLQ6
LM5160QPWPRQ1
TPS7A6633QDGNRQ1
ISP762TFUMA1
S912ZVC19F0MLFR
ISO5452DWR 22+
SAL-TC233LP-32F200F AC
MMPF0100NPAEP
FS32K144HFT0VLLT
STM32F413RGT6
TPS53353DQPR
VNH5019ATR-E
25AA010AT-I/OT
FX32K144HAT0MLLT
VND5E006ASPTR-E
STM32F765ZGT6
EP4CE15F17C8N
LM2676SX-ADJ/N OPB
VND5160AJTR-E
BSS83PH6327
SAK-TC264D-40F200W BC

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