該MCU采用高速嵌入式存儲器，具有高達2MB的雙區閃存、1 MB的RAM（包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM）。另外，該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強型I/O和外設，以及支持內部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。
該器件設有三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制的PWM定時器、五個低功耗定時器和一個真隨機數發生器 (RNG)。該器件支持四個用于外部Σ-Δ調制器 (DFSDM) 的數字濾波器，并設有標準和高級通信接口。
特性 核心具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位 Arm® Cortex®-M7內核：16KB數據和16KB指令高速緩存， 支持從256位嵌入式閃存單次訪問一條高速緩存線；頻率高達400MHz，MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令 存儲器
高達2Mbyte閃存，具有同時讀寫能力 1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM，用于存儲時間敏感的關鍵程序或數據）、864KB的用戶SRAM，以及4KB備份域SRAM 雙模Quad-SPI存儲器接口，運行頻率高達133MHz 具有高達32位數據總線的靈活外部存儲器控制器：在同步模式下，SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時鐘頻率高達133MHz CRC計算單元 安全性
ROP、PC-ROP、主動篡改 通用輸入/輸出
多達168個具有中斷能力的I/O端口 運行速率高達133MHz的快速I/O 多達164個5V容差I/O 復位和電源管理
3個獨立的電源域，可以獨立地進行時鐘門控或關閉，以最大限度地提高電源效率： D1：可實現高帶寬的高性能外設 D2：通信外設和計時器 D3：復位/時鐘控制/電源管理 1.62V至3.6V應用電源和I/O POR、PDR、PVD和BOR 嵌入3.3V內部穩壓器的專用USB電源，可為內部PHY供電 具有可配置的可擴展輸出的嵌入式穩壓器 (LDO)，可為數字電路供電 在運行和停止模式下進行電壓調節（5個可配置范圍） 備份穩壓器 (~0.9V) 模擬外設的參考電壓/VREF+ 低功耗模式：睡眠、停止、待機以及VBAT支持電池充電 低功耗
總電流消耗低至4μA 時鐘管理
內部振蕩器：64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI 外部振蕩器：4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE 3個帶分數模式的PLL（1個用于系統時鐘，2個用于內核時鐘）
