UH277G-SIP4K-BTG_UTC代理商導讀

當VCC 電壓高于26V 時，gate 信號立即停止ON/OFF，功率管關閉。為保護功率MOSFET 不受損壞，IC 在VCC 腳位增加過電壓保護功能。

U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三種方式進行封裝包裹。

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UR7133G-SOT23.5R-CTG

半導體行業從誕生至今 ，先后經歷了三代材料的變更程 ，截至目前 ，功率半導體器件領域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導體材料 。

82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。

（1）主要選型參數：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續漏電流，RDS(on) 導通電阻，Ciss 輸入電容（結電容），品質因數FOM=Ron * Qg等。（2）根據不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領域100V內； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領域200V內； SJ MOS：超結MOS，主要在高壓領域 600-800V；。

待機時輔助線圈對VCC 電容充電電流較小，IC 靜態功耗沒有太大變化，因此導致待機進入burst mode 后，VCC 電容電壓會在OFF time 中容易觸碰VCCMIN，發生VCC自動重啟誤動作。

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UTC代理商

U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。

88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。

MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。

LR1142G-SC59.5R-AD-ATG\TL431NSG-SC59.3R-ATG\LR2125G-SC59.5R-AD-TG\UT3N01ZG-SOT323R-TG\LD1117AG-TO252R-18-ATG\UT2302G-SC59.3R-TG。

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IC 內部所有功能塊開始工作，之后的時間里Drain 腳位僅受內部功率管控制。

HJ44H11L-TO252R-TG ULN2003G-SOP16R-TW2G MJE13003L-TO92B-B-TGP TDA2030AL-TO220BT-TG U74AHC1G08G-SOT353R-TG 。

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