SSM3K357R,LF制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23F-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 650 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V
Qg-柵極電荷: 1.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: MOSV
系列: SSM3K357R
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Toshiba
配置: Single
正向跨導 - 最小值: 500 mS
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 3000 ns
典型接通延遲時間: 990 ns
單位重量: 11 mg