產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 17.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 151 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFD2
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 6.4 ns
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.4 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: SP000881160 IPP65R19CFDXK IPP65R190CFDXKSA1
單位重量: 2 g