FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 100 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 110A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 10.5 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 233 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 5200 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 312W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

基本產品編號 STB120