SIHFR120-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 7.7 A
Rds On-漏源導通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 16 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
系列: SiHFR120
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay / Siliconix
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg