品牌:STM
封裝:TO263-7
批號:18+
數量:3000
交期:原裝現貨
價格:未稅80
深圳市力拓輝電子科技有限公司本著“誠信為本,品質第一,求實創新”的企業精神,立足亞洲市場,供應全球各大品牌全新原裝芯片,服務中國電子制造。公司長期備有大量現貨,只做進口全新原裝,歡迎來電來函洽談業務、索取資料;真誠服務,與客戶共同成長,業務不論大小,我們都提供優質服務!
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公司地址:深圳市福田區華強北都會100大廈B座26U
參數名稱
參數值
Source Content uid
STH240N75F3-6
Brand Name
STMicroelectronics
生命周期
Active
Objectid
1165326368
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
52 weeks
風險等級
7.52
Samacsys Description
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Samacsys Manufacturer
STMicroelectronics
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
5.92
雪崩能效等級(Eas)
600 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
75 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
180 A
最大漏極電流 (ID)
180 A
最大漏源導通電阻
0.003 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼
R-PSSO-G6
元件數量
1
端子數量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
300 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
720 A
子類別
FET General Purpose Powers
表面貼裝
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
參數規格與技術文檔
全部數據手冊技術文檔
全部
全部
數據手冊
技術文檔
下載: STH240N75F3-6
STMicroelectronics
下載: STH240N75F3-6
STMicroelectronics
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