技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
8.6A，7.3A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
17 毫歐 @ 8.6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
24nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1205pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
8-SOIC
基本產品編號
FDS8858
