AFGHL30T65RQDN技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.57 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, + 20 V
在25 C的連續集電極電流: 42 A
Pd-功率耗散: 230.8 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
商標: onsemi
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
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